電智學(xué)院丁利蘋(píng)副教授近期在《Nature Materials》上發(fā)表重要研究成果

近期，電子信息與人工智能學(xué)院新型顯示及半導體材料與器件團隊丁利蘋(píng)副教授在二維半導體材料領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，相關(guān)成果以“Seeded growth of single-crystal black phosphorus nanoribbons”為題，被發(fā)表在Nature子刊《Nature Materials》。丁利蘋(píng)副教授為論文共同通訊作者，我校為共同通訊單位。該成果的發(fā)表體現了我校在二維半導體領(lǐng)域的影響力。

(a) 單晶黑磷納米帶光學(xué)圖像及(b) TEM圖；(c) 重構邊界和原始邊界的形成能；(d) 有礦化劑SnI₂分子存在時(shí)的重構邊界和原始邊界的形成能

丁利蘋(píng)副教授與復旦大學(xué)張遠波教授團隊、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)陳仙輝院士團隊、深圳先進(jìn)技術(shù)研究院丁峰教授團隊合作，首次實(shí)現二維單晶黑磷納米帶的大面積生長(cháng)。丁利蘋(píng)副教授從理論角度預測，多層黑磷的相鄰層間邊界重構對其生長(cháng)有重要影響，會(huì )導致沿特定[100]晶向排列生長(cháng)的單晶納米帶?；诶碚擃A測，張遠波教授團隊通過(guò)在化學(xué)氣相傳輸生長(cháng)中引入黑磷納米顆粒進(jìn)行種子催化，成功獲得了沿[100]晶向排列的均勻單晶納米帶。以單個(gè)納米帶為基礎的場(chǎng)效應晶體管呈現高達~10⁴的開(kāi)關(guān)比，這些結果展示了黑磷納米帶在納米電子器件方面的潛力。單晶黑磷納米帶的成功制備為新型納米電子器件的開(kāi)發(fā)鋪平了道路。這一突破性技術(shù)的實(shí)現標志著(zhù)二維半導體領(lǐng)域的一次里程碑，為納米電子學(xué)的發(fā)展注入了新的活力。

【文章鏈接】https://doi.org/10.1038/s41563-024-01830-2。

新聞小貼士：

《Nature Materials》(自然材料)是一本由Nature 出版集團（Nature Publishing Group，簡(jiǎn)稱(chēng)NPG）出版發(fā)行的材料科學(xué)：綜合-工程技術(shù)學(xué)術(shù)刊物，是《Nature》周刊的姐妹期刊，其五年平均影響因子為45.8。

丁利蘋(píng)，女，博士，副教授，碩士生導師。主要從事低維納米材料的生長(cháng)機理研究。先后入選陜西高?！扒嗄杲艹鋈瞬胖С钟媱潯?、“陜西省科協(xié)青年人才托舉計劃”。以第一完成人身份榮獲“陜西省科學(xué)技術(shù)獎”三等獎、“陜西省高等學(xué)?？茖W(xué)技術(shù)獎”二等獎（2次）。近年來(lái)，先后主持國家自然科學(xué)基金、國家重點(diǎn)實(shí)驗室開(kāi)放課題、陜西省自然科學(xué)基金面上等項目。授權國家發(fā)明專(zhuān)利12件，成果轉化1件。在Nat. Mater.、J. Am. Chem. Soc.、Nat. Commun.、Adv. Funct. Mater.、ACS Nano.等國內外頂級期刊發(fā)表論文50余篇，其中一作29篇。

（核稿：雷濤 編輯：劉倩）